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Si4946BEY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
0.10
0.08
I D = 5.3 A
10
1
T J = 175 °C
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0.00
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
25
20
15
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.0
10
1.8
1.6
5
1.4
1.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73411
S09-2434-Rev. C, 16-Nov-09
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